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激光雷达 硅基锗-硅光电探测器SOI芯片光电探测器阵列
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激光雷达 硅基锗-硅光电探测器SOI芯片光电探测器阵列

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    梁先生
  • 职   位:
    销售经理
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  • 手   机:
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  • 地   址:
    四川 绵阳 涪城区 四川省绵阳市经开区塘汛镇文武中路218号(电子制造产业园)16幢3层
产品特性:功率稳定加工定制:否品牌:梓冠
型号:ZG种类:配件组件波段范围:1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
运转方式:连续式激励方式:电激励式工作物质:半导体
光路径:透过型外光路输出形式:功率型传输信号:单电源型
速度:高速通道:多通道输出波长:1530—1570 nm or 1270nm—1330 nmnm

SOI芯片式光电探测器阵列,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

Chip-based multi-channel photodetector array is a product based on Ge-Si SOI platform. This product achieved the integration of multi-channel photodetectors on a single SOI chip. The MMI-based optical hybrider/mixer could also be integrated on the chip. It is capable of tiny polarization sensitivity and large electrical bandwidth. Both the die products and chip package solutions are provided.

 

〖特性Features

n 多通道

Multi-channels 

n 高集成度芯片化

Chip based

n 大模拟带宽

Large electrical bandwidth

〖应用Applications〗

n 光纤传感

Optical fiber sensor

n 光纤通信

Optical fiber communications

n 激光雷达

LiDAR system

〖性能指标Specifications〗

参数指标

Parameters

 

 

单位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

 

Max.

备注

Notes

波长范围

Wavelength range

 

 

 

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

 




暗电流

Dark current

 

nA

35


50


3 dB模拟带宽

3 dB bandwidth

GHz



28


光饱和功率

Optical saturation power

mW

10




响应度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光学混频器损耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光学混频器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道数

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized




光纤接入损耗

Insertion loss

dB

≤0.5




偏振相关损耗

PDL

dB

≤0.3




工作温度范围

Operating temperature range

°C

-20


50


工作湿度范围

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)




 

〖尺寸Dimensions〗

 

 

〖订货信息Ordering information〗

 

ZG

波长

Wavelength

通道数

Number of channels

类型

Type


13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=other

 

 

1=PD

2=混频器

2=Mixer

XX=other


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